本實用新型屬于低壓無功補償技術領域，更具體地說，它涉及一種智能電容器的控制電路。

背景技術：

智能電容器是一種集成現(xiàn)代測控、電力電子、網(wǎng)絡通訊、自動化控制、電力電容器等先進技術為一體的智能無功補償裝置。目前，市場上的智能電容器，它包括殼體及設在殼體內的內部組件，所述內部組件包括電容器、智能測控模塊、復合開關、線路保護模塊及人機界面模塊。這種智能電容器，能實現(xiàn)參數(shù)檢測、自動控制或手動控制的過零投切、智能保護、人機對話等多項功能。

上述的復合開關一般由繼電器和相應的驅動電路構成，也可稱為繼電器投切電路，主要用于在市電的電壓壓過零瞬間，通過驅動電路來控制繼電器的觸點開關吸合，以將電容器投入到電網(wǎng)。然而，目前市面上的智能電容器，其所采用的驅動電路過于復雜，導致電路板的集成面積過大，導致智能電容器的內部空間過于緊湊，一方面徒然地增加了制造成本，另一方面，也不利于散熱。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種智能電容器的控制電路，具有電路結構簡單合理、成本低等特點。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了如下技術方案：

一種智能電容器的控制電路，包括電流檢測電路、電壓檢測電路、電壓過零檢測電路、電流過零檢測電路、繼電器投切電路、MCU控制電路；所述繼電器投切電路包括磁保持繼電器、第一NPN三極管、第二NPN三極管、第一電阻以及第二電阻；其中，所述磁保持繼電器的線圈上設置有抽頭，所述抽頭耦接至12V直流電壓；所述第一NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的高端，發(fā)射極接地，基極與第一電阻串聯(lián)；所述第二NPN三極管的集電極耦接至磁保持繼電器的線圈的低端，發(fā)射極接地，基極與第二電阻串聯(lián)。

通過以上技術方案：MCU控制電路向第一NPN三極管的基極發(fā)出高電平驅動信號，使第一NPN三極管導通，進而磁保持繼電器的線圈的高端接地，此時12V直流電壓從磁保持繼電器的線圈的高端流出，磁保持繼電器作出吸合動作；反之，當MCU控制電路向第二NPN三極管的基極發(fā)出高電平驅動信號，使第二NPN三極管導通，進而磁保持繼電器的線圈的低端接地，此時12V直流電壓從磁保持繼電器的線圈的低端流出，由線圈產(chǎn)生的磁場反轉，磁保持繼電器作出斷開動作。

優(yōu)選地，還包括繼電器檢測電路，所述繼電器檢測電路包括光耦合器，所述光耦合器的1腳耦接于磁保持繼電器的觸點開關的一端，2腳耦接于磁保持繼電器的觸點開關的另一端，3腳接地，4腳耦接通過第三電阻耦接于VCC電壓、通過第四電阻耦接于MCU控制電路。

通過以上技術方案：當磁保持繼電器的觸點開關吸合時，光耦合器的1、2腳導通，使得3、4腳也導通，進而4腳輸出低電平信號至MCU控制電路；反之，當磁保持繼電器的觸點開關斷開時，光耦合器的4腳輸出高電平信號至MCU控制電路；如此，MCU控制電路即可通過判斷光耦合器的4腳的電平高低，來判斷磁保持繼電器是否正常工作。

優(yōu)選地，所述光耦合器的1腳與磁保持繼電器的觸點開關串聯(lián)有若干限流電阻。

通過以上技術方案：通過設置若干限流電阻對光耦合器進行保護。

優(yōu)選地，所述光耦合器的2腳與磁保持繼電器的觸點開關串聯(lián)有若干限流電阻。

通過以上技術方案：通過設置若干限流電阻對光耦合器進行保護。

優(yōu)選地，還包括RS485通訊接口電路，所述RS485通訊接口電路與MCU控制電路耦接。

通過以上技術方案：MCU控制電路可與上位機進行通訊，以能夠向上位機傳輸電網(wǎng)的狀態(tài)參數(shù)信息，例如電壓、電流、功率因數(shù)等。

優(yōu)選地，所述RS485通訊接口電路的輸入端耦接有ESD保護二極管。

通過以上技術方案：能夠防止產(chǎn)生的靜電對RS485接口電路的信號傳輸造成影響。

附圖說明

圖1為實施例中智能電容器的控制電路的模塊原理圖；

圖2為實施例中電壓檢測電路、電壓過零檢測電路的電路圖；

圖3為實施例中電流檢測電路、電流過零檢測電路的電路圖；

圖4為實施例中RS485通訊接口電路的電路圖；

圖5為實施例中繼電器投切電路、繼電器檢測電路的電路圖。

附圖標記：100、電壓檢測電路；200、電壓過零檢測電路；300、電流檢測電路；400、電流過零檢測電路；500、RS485通訊接口電路；600、繼電器投切電路；700、繼電器檢測電路。

具體實施方式

下面結合實施例及附圖，對本實用新型作進一步的詳細說明，但本實用新型的實施方式不僅限于此。

參照圖1，一種智能電容器的控制電路，包括電流檢測電路300、電壓檢測電路100、電壓過零檢測電路200、繼電器投切電路600、繼電器檢測電路700、MCU控制電路以及RS485通訊接口電路500；其中，MCU控制電路通過RS485通訊接口電路500與上位機通訊連接。

其中，電壓檢測電路100、電壓過零檢測電路200如圖2所示，變壓器A15的一次側耦接于電網(wǎng)，二次側的一路耦接于由運算放大器U5D、U5C構成的整流電路，進而變壓器A15的二次側的輸出電壓變?yōu)橹绷餍问降碾妷簷z測信號U_IN。變壓器A15的二次側的另一路耦接于由運算放大器U5A構成的比較電路，當電網(wǎng)的電壓由正半周過零到負半周時，運算放大器U5A的反相輸入端電壓高于同相輸入端，運算放大器U5A輸出高電平的過零檢測信號U0，當電網(wǎng)的電壓由負半周過零到正半周時，運算放大器U5A的反相輸入端電壓低于同相輸入端，運算放大器U5A輸出低電平的過零檢測信號U0。

電流檢測電路300、電流過零檢測電路400如圖3所示，其檢測原理與電壓檢測電路100、電壓過零檢測電路200的原理基本相同，因此不再贅述。

RS485通訊接口電路500如圖4所示，其輸入端耦接有ESD保護二極管（U16、U17），具有較強的抗靜電能力。

繼電器投切電路600如圖5所示，其包括磁保持繼電器K1、第一NPN三極管Q1、第二NPN三極管Q2、第一電阻R11以及第二電阻R12；其中，磁保持繼電器K1的線圈上設置有抽頭（圖中的引腳1），抽頭耦接至12V直流電壓；第一NPN三極管Q1的集電極耦接至磁保持繼電器K1的線圈的高端，發(fā)射極接地，基極與第一電阻R11串聯(lián)；第二NPN三極管Q2的集電極耦接至磁保持繼電器K1的線圈的低端，發(fā)射極接地，基極與第二電阻R12串聯(lián)。

參照圖5，繼電器檢測電路700包括光耦合器G1，光耦合器的1腳通過若干限流電阻（R85、R88、R91、R94）耦接于磁保持繼電器K1的觸點開關的一端，2腳通過若干限流電阻（R87、R89、R92、R95）耦接于磁保持繼電器K1的觸點開關的另一端，3腳接地，4腳耦接通過第三電阻R1113耦接于VCC電壓、通過第四電阻R1114耦接于MCU控制電路。